类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：650V
　　栅源电压VGS：±30V
　　连续漏极电流ID：7A
　　脉冲漏极电流IDM：28A
　　功耗PD：125W
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻RDS(on)：典型值0.85Ω（最大1.1Ω）
　　输入电容Ciss：约520pF
　　输出电容Coss：约110pF
　　反向恢复时间trr：约45ns

BUT21BF具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是高击穿电压与较低导通损耗之间的良好平衡。该器件的漏源击穿电压高达650V，使其适用于离线式开关电源设计，尤其是在需要直接连接到整流后市电的应用中表现出色。这种高耐压能力结合1.1Ω以下的导通电阻，有助于在保持安全裕量的同时减少导通期间的能量损耗，从而提高电源系统的整体效率。
　　该MOSFET采用了优化的晶圆工艺，提升了载流子迁移率，并通过减小芯片尺寸来降低寄生电容，进而改善了开关速度。输入电容和输出电容分别为520pF和110pF左右，使得驱动电路所需的能量较小，有利于高频操作下的能效优化。同时，较短的反向恢复时间（约45ns）意味着体二极管在关断过程中产生的反向电流较小，减少了交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。
　　热管理方面，BUT21BF封装具有较低的热阻（RθJC约为1.2°C/W），允许热量从芯片有效传导至散热器，确保长时间运行下的可靠性。器件的工作结温可达+150°C，支持严苛环境下的持续工作。此外，它具备一定的雪崩耐量，可通过单脉冲雪崩能量测试，增强了在电压突变或负载突变情况下的生存能力。
　　在实际应用中，BUT21BF展现出良好的抗噪能力和栅极驱动兼容性，可由常见的PWM控制器直接驱动。其栅源阈值电压通常在3~5V之间，适合搭配标准逻辑电平信号工作。综合来看，BUT21BF是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中高压MOSFET，广泛用于AC-DC适配器、LED驱动电源和小型逆变器等产品中。

BUT21BF广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，包括但不限于离线式反激变换器、正激变换器和半桥拓扑结构，特别适用于将交流市电转换为稳定直流电压的电源适配器和充电器。在LED照明驱动领域，该器件可用于恒流控制电路中的主开关元件，实现高效节能的调光与稳流功能。此外，它也常见于工业自动化设备的电机驱动模块中，作为H桥电路的一部分，执行方向控制与速度调节任务。在小型不间断电源（UPS）和逆变器系统中，BUT21BF凭借其高耐压和良好开关特性，胜任DC-AC转换阶段的功率切换角色。家用电器如空调、洗衣机和微波炉的电源控制板同样可能采用此类MOSFET进行功率调节。由于其具备较强的瞬态耐受能力，该器件还能用于存在感性负载切换的场合，例如继电器驱动或电磁阀控制，有效抑制电压尖峰带来的影响。总体而言，BUT21BF适用于所有要求高效率、高可靠性和紧凑设计的电力电子系统。