BUT11F 时间：2025/12/29 15:01:26 阅读：18

BUT11F 是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、负载开关等功率电子设备中。该器件采用TO-220封装，具备高耐压、大电流能力，适用于中高功率应用。BUT11F具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：最大40mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

BUT11F 的主要特性包括高电流容量和低导通电阻的结合，使其在高功率应用中表现出色。其低Rds(on)特性可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体效率并减少散热需求。该器件的栅极驱动电压范围较宽，在+10V至+20V之间均可正常工作，便于与各种驱动电路兼容。
　　此外，BUT11F具备良好的热稳定性和较高的耐用性，适用于工业级和汽车电子系统中的高温环境。其封装形式（TO-220）具有良好的散热性能，便于安装在散热片上，增强其在高负载条件下的可靠性。
　　由于其快速开关特性，BUT11F在高频开关应用中表现优异，例如开关电源(SMPS)、同步整流、H桥电机驱动器等。同时，该MOSFET具备较高的短路耐受能力，适合在需要瞬态保护的场合使用。

应用

BUT11F 主要应用于各种功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、逆变器、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统中的功率控制模块。在汽车应用中，它可以用于控制车灯、风扇、电动窗等高功率负载。此外，它也适用于工业自动化控制系统中的功率开关器件，例如PLC输出模块、继电器替代方案等。由于其高可靠性和良好的热性能，BUT11F在需要长时间稳定运行的系统中也具有广泛的应用前景。