制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：OPTIMMOS
　　产品型号：BUS41429C
　　通道数：1
　　漏源电压(Vdss)：30V
　　连续漏极电流(Id)：195A @ 25°C
　　驱动电压(最大Rds On)：10V
　　导通电阻(Rds On@Id,Vd)：1.3毫欧 @ 195A,10V
　　栅极电荷(Qg@Vgs)：230nC @ 10V
　　输入电容(Ciss@Vds)：13600pF @ 15V
　　输入类型：N-Channel
　　不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V @ 800μA
　　不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：310nC @ 10V
　　不同Vds时的输入电容(Ciss)（最大值）：17500pF @ 15V
　　功率耗散(Pd)：460W（Tc）
　　不同Id时的Vgs(th)（最小值）：2V
　　工作温度：-55℃ ~ 175℃（TJ）
　　产品类型：MOSFET
　　技术：MOSFET - Power
　　晶体管极性：N 沟道
　　配置：单路
　　通道数量：1 Channel
　　连续漏极电流(Id)：195 A
　　输入电容(Ciss@Vds)：13600 pF @ 15 V
　　安装风格：SMD/SMT
　　封装 / 箱体：PG-HSOF-5-11

BUS41429C作为一款高性能N沟道功率MOSFET，具备多项卓越的技术特性，使其在高功率密度和高效率的应用场景中表现出色。首先，其极低的导通电阻Rds(on)仅为1.3毫欧（在195A、10V条件下），显著降低了导通损耗，提升了整体能效，特别适用于大电流开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术（Trench MOS），优化了载流子迁移路径，进一步提高了电流处理能力和开关速度。
　　其次，BUS41429C具有出色的热性能，其高达460W的功率耗散能力（在理想散热条件下）使其能够在高温环境下持续稳定工作。器件的工作结温范围达到-55℃至+175℃，满足汽车级AEC-Q101认证要求，适用于发动机舱内或工业高温环境下的严苛应用。此外，该MOSFET具备高雪崩耐量，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受较高的能量冲击，增强了系统的鲁棒性和可靠性。
　　在开关性能方面，BUS41429C的栅极电荷（Qg）为230nC（典型值），在保证低Rds(on)的同时实现了较快的开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统效率。其输入电容（Ciss）为13600pF（@15V），在高频开关应用中表现良好，适合用于同步整流、半桥/全桥拓扑结构。同时，该器件支持10V的标准驱动电压，兼容常见的MOSFET驱动器IC，简化了外围电路设计。
　　BUS41429C还具备良好的抗噪声能力和EMI性能，得益于其优化的封装设计和内部结构，减少了寄生电感和电容的影响。其PG-HSOF-5-11封装形式不仅体积小巧，还具备优良的散热性能，可通过PCB焊盘有效传导热量。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子产品的制造要求。

BUS41429C广泛应用于对功率密度、效率和可靠性要求极高的电力电子系统中。在汽车电子领域，该器件常用于电动助力转向（EPS）、车载充电机（OBC）、DC-DC变换器、电池管理系统（BMS）以及电机控制器等关键模块，凭借其高电流承载能力和宽温工作范围，能够满足新能源汽车对动力系统高效运行的需求。在工业控制方面，BUS41429C被用于伺服驱动器、变频器、UPS不间断电源、工业电源模块和焊接设备中，作为主开关元件或同步整流器件，提供稳定的功率输出。此外，在电信基础设施中，如4G/5G基站电源、服务器电源和数据中心配电单元，该MOSFET也因其高效率和高可靠性而被广泛采用。其优异的热管理和开关特性使其成为高密度电源设计的理想选择。由于其支持大电流脉冲操作，BUS41429C还可用于脉冲功率系统、激光驱动器和电磁阀控制等特殊应用场景。总之，该器件适用于所有需要高效、紧凑且可靠的功率开关解决方案的场合。

BUP41429C