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BUR51 发布时间 时间:2022/12/29 16:27:49 查看 阅读:687

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):60A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):200V

 

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):60A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):200V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 5A, 50A

    电流 - 集电极截止(最大):1mA

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 5A, 4V

    功率 - 最大:350W

    频率 - 转换:16MHz

    安装类型:底座安装

    封装/外壳:TO-204,TO-3

    包装:管件

    供应商设备封装:*

    其它名称:497-2633-5


资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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BUR51产品

BUR51参数

  • 标准包装20
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)60A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)200V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 5A,50A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 5A,4V
  • 功率 - 最大350W
  • 频率 - 转换16MHz
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳TO-204AA,TO-3
  • 供应商设备封装TO-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-2633-5