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BUL45D2G 发布时间 时间:2022/12/29 14:09:25 查看 阅读:487

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V

   

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 400mA, 2A

    电流 - 集电极截止(最大):100?A

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):10 @ 2A, 1V

    功率 - 最大:75W

    频率 - 转换:13MHz

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-220-3 (直引线)

    包装:管件

    供应商设备封装:TO-220AB

    其它名称:BUL45D2GOS


资料

厂商
ON Semiconductor

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BUL45D2G产品

BUL45D2G参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)400V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 400mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10 @ 2A,1V
  • 功率 - 最大75W
  • 频率 - 转换13MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称BUL45D2GOS