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BUL45D2G 发布时间 时间：2022/12/29 14:09:25 查看 阅读：476

    类别：分离式半导体产品

    家庭：晶体管(BJT) - 单路

    系列：-

    晶体管类型：NPN

    电流 - 集电极 (Ic)（最大）：5A

    电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V

   

目录

概述

    类别：分离式半导体产品

    家庭：晶体管(BJT) - 单路

    系列：-

    晶体管类型：NPN

    电流 - 集电极 (Ic)（最大）：5A

    电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 400mA, 2A

    电流 - 集电极截止（最大）：100?A

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：10 @ 2A, 1V

    功率 - 最大：75W

    频率 - 转换：13MHz

    安装类型：通孔

    封装/外壳：TO-220-3 (直引线)

    包装：管件

    供应商设备封装：TO-220AB

    其它名称：BUL45D2GOS


资料

厂商
ON Semiconductor

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BUL45D2G参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）400V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）500mV @ 400mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10 @ 2A，1V
  • 功率 - 最大75W
  • 频率 - 转换13MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称BUL45D2GOS

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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