时间：2025/7/23 2:39:38
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BUL128-K是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于电源管理、电机控制和工业自动化等场景。
类型：MOSFET（N沟道）
漏极电流（Id）：10A
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
BUL128-K具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下的低功率损耗，提高了整体系统的效率。其次，该器件具备高耐压能力，能够在600V的漏源电压下稳定工作，适用于高电压应用场合。此外，BUL128-K的栅极驱动设计允许其在±20V的栅源电压范围内正常运行，确保了与各种驱动电路的兼容性。
在热性能方面，BUL128-K采用了高效的散热设计，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内工作，适应极端环境下的应用需求。其TO-220封装形式也便于安装和散热管理，适合工业级应用。此外，该MOSFET具备较高的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性。
BUL128-K广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动、工业自动化设备以及家电控制电路。其高耐压和大电流特性使其成为电源管理和功率控制应用中的理想选择。在电动汽车和可再生能源系统中，BUL128-K也可用于逆变器和充电器的功率开关设计。
STP10NK60Z, IRF840, FQA10N60C
