时间：2025/7/22 22:00:06
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BUL120 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等高功率场合。该器件采用TO-220封装，具备良好的热性能和高电流承载能力，适用于需要高效率和高可靠性的设计场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.3Ω
功耗(Pd)：60W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
BUL120 具备低导通电阻，能够有效降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
其高电流承载能力使其适用于高负载应用场景，如电源管理与电机驱动。
TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高功率工作条件下依然稳定运行。
此外，该器件具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
BUL120 还具有良好的热稳定性和短路耐受能力，提升了整体系统的可靠性。
BUL120 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制电路、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其优异的导通特性和高可靠性，也常用于汽车电子系统中的电源管理部分，如车灯控制、电动窗驱动电路等。
此外，该MOSFET适用于需要高效率、高功率密度设计的电源适配器、UPS系统和太阳能逆变器等应用场合。
STP12NM60ND, IRFZ44N, FDP12N60
