时间：2025/9/14 12:29:19
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BUK9Y8R7-60E,115 是一款由Nexperia（安世半导体）制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供优异的导通性能和较低的开关损耗，适用于高效率电源转换系统。其额定电压为60V，额定电流可达150A，在10V栅极驱动电压下具有极低的导通电阻。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：150A @ Tc=25°C
导通电阻(Rds(on))：8.7mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：170W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：D2PAK
BUK9Y8R7-60E,115 是一款专为高功率密度和高效能电源设计而优化的功率MOSFET。该器件采用了Nexperia先进的Trench沟槽技术，使得其在导通状态下的电阻非常低，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其最大导通电阻在Vgs=10V时仅为8.7mΩ，远低于同类产品，使其在高电流应用中具有显著优势。
该MOSFET具有良好的热性能，采用D2PAK封装，具备优良的散热能力，可在高功率负载下保持稳定运行。其额定漏极电流在25°C环境温度下为150A，适用于需要高电流能力的DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制应用。
此外，该器件的栅极驱动电压范围为±20V，推荐工作电压为10V，具有较强的抗过压能力，同时确保快速开关操作，减少开关损耗。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适应各种严苛的工作环境，提高了系统的可靠性和稳定性。
由于其优异的性能指标和广泛的应用范围，BUK9Y8R7-60E,115 常用于工业电源、汽车电子、通信设备和服务器电源等高性能要求的电子系统中。
BUK9Y8R7-60E,115 主要应用于需要高效率、高电流和低导通损耗的电源管理系统。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统、服务器电源和工业控制系统等。此外，该器件也适用于汽车电子系统中的功率管理模块，如车载充电器、电动助力转向系统和电动水泵驱动电路。
IRF1405, STP150N6F6, FDS4410A, BSC090N06NS5, BUK9Y8R7-60E
