时间：2025/9/14 1:45:00
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BUK9Y6R5-40HX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。BUK9Y6R5-40HX 采用先进的 Trench MOSFET 技术制造，适用于汽车电子、工业电源、DC-DC 转换器和负载开关等场景。该器件采用 HVSON（热增强型超薄小外形封装），具备良好的散热性能和紧凑的封装尺寸，适合对空间要求严格的现代电子设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150A
导通电阻（RDS(on)）：6.5mΩ（典型值）@ VGS=10V
功率耗散（Ptot）：140W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：HVSON（5x6mm）
引脚数：8
BUK9Y6R5-40HX 的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其导通电阻在 VGS=10V 时仅为 6.5mΩ，使得该器件在大电流应用中仍能保持较低的功耗和良好的热性能。
该 MOSFET 具有高耐压能力，漏源电压额定值为 40V，适用于多种中低压功率转换系统。此外，它支持高达 ±20V 的栅源电压，增强了其在不同驱动电路中的适用性。
器件采用了先进的 Trench 技术，不仅提升了性能，还优化了导通与开关特性，使其在高频开关应用中表现优异。同时，其 150A 的连续漏极电流能力，使得 BUK9Y6R5-40HX 能够胜任高负载条件下的工作需求。
在封装方面，BUK9Y6R5-40HX 采用 HVSON 封装形式，尺寸仅为 5x6mm，具有优异的热管理能力。该封装不仅降低了热阻，还提高了散热效率，确保器件在高功率密度设计中稳定运行。
此外，该器件符合 AEC-Q100 汽车级认证标准，适用于汽车电子系统，如电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）和电机控制模块等。其高可靠性与耐用性使其成为严苛环境下的理想选择。
BUK9Y6R5-40HX 主要应用于需要高效能和高可靠性的功率管理系统中。典型应用包括汽车电子中的电机驱动、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）以及车载充电器（OBC）等。
在工业自动化和电源管理领域，该器件可用于高效率的开关电源（SMPS）、负载开关、逆变器和功率因数校正（PFC）电路。由于其低导通电阻和优异的开关性能，特别适用于高频率开关应用，以提升整体系统的能效。
此外，BUK9Y6R5-40HX 还适用于服务器电源、通信设备电源模块、电动工具和储能系统等对功率密度和效率要求较高的场合。其紧凑的封装和优良的热性能使其成为现代高密度 PCB 设计的理想选择。
SiSS150DN, BSC090N04LS G, IPB013N04NGATMA1
