时间：2025/9/14 20:41:17
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BUK9Y6R0-60E,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻、高可靠性和优异的热性能。其广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等领域。该MOSFET采用TSON10封装形式，具备良好的散热能力和空间节省特性，适合在高密度电路设计中使用。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：40A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：6mΩ（最大值，Vgs=10V）
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.5V ~ 2.5V
功耗(Pd)：66W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：TSON10
BUK9Y6R0-60E,115 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电流应用中具有更低的功率损耗和更小的温升。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的开关性能和导通性能，有助于提高电源系统的整体效率。
此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，能够在突发电压或电流过载情况下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性和耐用性。其TSON10封装形式不仅体积小巧，还具备良好的热管理能力，适合高密度PCB布局。
该器件还具备快速开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流器、电机驱动器和DC-DC转换器等。其栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），可与多种驱动器兼容，方便设计者进行系统集成。
由于其出色的热稳定性和电气性能，BUK9Y6R0-60E,115 可在恶劣环境下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制和便携式设备等多种应用场合。
BUK9Y6R0-60E,115 主要应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：
? DC-DC降压/升压转换器
? 电源管理系统
? 负载开关与热插拔控制
? 电机驱动器与H桥电路
? 电池管理系统（BMS）
? 工业自动化与伺服控制
? 汽车电子中的功率控制模块
? 高效电源适配器与充电器
该器件凭借其高效率、小尺寸和高可靠性，特别适用于对空间和能效要求较高的现代电子产品。
IPD60R065CE
SiR142DP
FDS6680
IRF6717
TPH5R906NH
