时间：2025/9/14 22:46:41
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BUK9Y4R4-40E是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET的设计旨在提供优异的导通和开关性能，适用于汽车电子、工业控制以及消费类电子设备中的功率转换和管理。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：40V
最大漏极电流（ID）：220A
导通电阻（RDS(on)）：4.25mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerSO-10
安装类型：表面贴装
BUK9Y4R4-40E具有低导通电阻，使其在高电流应用中能够实现较低的功率损耗和更高的效率。该MOSFET采用了先进的沟槽技术，提高了热稳定性和电气性能，同时在高温下仍能保持稳定工作。
此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过载条件下的可靠性。其高电流承载能力和低热阻特性也使其非常适合用于高功率密度设计。
由于其封装设计具有较低的热阻（Rth），能够有效散热，从而延长器件寿命并提高系统稳定性。这种MOSFET还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。
BUK9Y4R4-40E广泛应用于多种高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统、电源管理模块以及汽车电子系统（如车载充电器和电动助力转向系统）。此外，它也适用于服务器电源、工业自动化设备以及高性能计算设备中的功率管理部分。
IPB045N04N, STD220N4-40E, SQJQ452E
