时间：2025/9/14 11:34:26
阅读：10
BUK9Y4R4-40E,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高可靠性和低导通电阻设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。该MOSFET采用先进的Trench技术，提供优异的导通性能和热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定运行。该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热能力，适合高功率密度应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25°C时）
功耗(Pd)：250W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
导通电阻(Rds(on))：4.0mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：90nC（典型值）
封装类型：TO-220
引脚数：3
供应商封装：SOT404（TO-220AB）
BUK9Y4R4-40E,115采用了先进的Trench MOSFET技术，提供了非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中可以有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统可靠性和寿命。其高栅极电荷特性使其适用于需要高频率开关的应用，同时其结构设计确保了良好的短路耐受能力。
该MOSFET还具备优良的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定，减少损坏风险。此外，其封装设计提供了良好的散热路径，有助于将热量快速传导到散热片，适用于高功率密度的设计场景。该器件的可靠性在多个工业标准测试中得到验证，包括高温反偏测试和湿度敏感度测试，适用于工业和汽车电子等严苛环境应用。
BUK9Y4R4-40E,115常用于多种高功率和高效率的电子系统中。例如，它被广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和电池管理系统中。在服务器电源、电信设备和工业自动化控制系统中，该MOSFET可以作为高侧或低侧开关，实现高效的能量转换和管理。此外，它也适用于电动工具、电动车和储能系统中的功率控制模块。
由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在负载开关和热插拔电源管理中表现出色，能够有效防止电流冲击并提高系统稳定性。在汽车电子领域，BUK9Y4R4-40E,115可用于车载充电器、启动系统和车身控制模块，提供可靠的功率控制解决方案。
BUK9Y4R4-40E,115的替代型号包括STP100N4F5, STP100N4F5-06R和SiS434CDT1-E3。这些型号在电气特性和封装形式上与BUK9Y4R4-40E,115相似，具有相近的漏源电压、导通电阻和最大连续漏极电流，适用于相同的应用场景。
