时间：2025/5/8 18:44:56
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BUK9Y40-55B 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于各种高效能开关应用中。其封装形式为TO-263 (DPAK)，有助于提高散热性能并简化设计布局。
这款MOSFET主要针对需要高性能、低损耗的电源管理场合设计，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：47A
导通电阻（Rds(on)）：1.15mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：48nC（典型值）
输入电容：1900pF（典型值）
总功耗：175W
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK9Y40-55B具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能力，增强了器件在过载或短路条件下的耐用性。
4. 采用TO-263封装，具有良好的热性能和电气性能。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
这些特性使该器件非常适合于要求高效率和高可靠性的应用环境。
BUK9Y40-55B广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
3. 负载开关和保护电路。
4. 电机驱动和逆变器控制。
5. 汽车电子系统中的大电流开关。
由于其出色的电气特性和热性能，该器件特别适用于对效率和可靠性要求较高的场景。
IRLB8749PBF, FDP5560
