BUK9Y38-100E 时间：2025/5/24 20:58:00 阅读：15

BUK9Y38-100E 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263封装，适用于高效率开关应用。它具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及其他需要高效功率管理的场景。
　　这款MOSFET以其高电流处理能力和较低的栅极电荷而著称，有助于降低功耗并提升系统性能。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：5A
　　导通电阻（典型值）：17mΩ
　　栅极电荷（典型值）：15nC
　　总电容（输入电容）：440pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-263

特性

BUK9Y38-100E 具备以下主要特性：
　　1. 低导通电阻设计，能够有效减少传导损耗，提高整体效率。
　　2. 快速开关能力，确保在高频应用中保持低开关损耗。
　　3. 较高的雪崩能量能力，提升了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 支持高达175℃的工作结温，适应更广泛的工业环境。
　　5. 符合RoHS标准，满足环保要求。
　　6. 封装紧凑且散热性能良好，便于系统集成和布局优化。

应用

BUK9Y38-100E 可广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中的同步整流。
　　2. 负载开关和保护电路。
　　3. 电机驱动与控制。
　　4. 工业自动化设备中的功率管理。
　　5. 汽车电子中的各类功率切换功能。
　　6. LED照明驱动电路。
　　其出色的性能使其成为多种功率转换和控制应用的理想选择。