BUK9Y2R8-40H 时间：2025/9/14 13:47:35 阅读：16

BUK9Y2R8-40H 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流容量和快速开关性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及汽车电子等应用领域。该器件采用高性能的 TrenchMOS 技术制造，具有出色的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：180A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2mΩ（最大值，典型值1.8mΩ）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerSO-10

特性

BUK9Y2R8-40H 具备多项优异的电气和物理特性。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其适合高电流应用。该器件在 10V 栅极驱动电压下即可实现完全导通，兼容标准的 MOSFET 驱动电路。此外，该 MOSFET 采用了先进的 TrenchMOS 工艺技术，提高了单位面积的电流密度，同时降低了开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。
　　在热性能方面，该器件具有良好的热稳定性和高功率耗散能力（300W），可在高负载条件下保持稳定运行。其封装形式为 PowerSO-10，是一种表面贴装封装，具备良好的热管理能力和空间节省优势，适合高密度 PCB 设计。此外，该器件的封装材料符合 RoHS 标准，支持环保应用。
　　BUK9Y2R8-40H 还具备出色的短路耐受能力和雪崩能量承受能力，增强了在严苛工作环境下的可靠性和耐用性。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于工业级和汽车级应用场景。

应用

BUK9Y2R8-40H 主要应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。常见的应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、电源分配系统以及汽车电子中的功率控制模块。在服务器电源、通信设备电源和工业自动化系统中，该器件也广泛用于提高能效和系统稳定性。
　　由于其优异的导通特性和热管理能力，BUK9Y2R8-40H 也适用于高性能电源模块和功率放大器设计。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该 MOSFET 可用于实现高效的能量转换和管理。此外，在汽车电子中，该器件可用于车载充电系统、起停系统和电动助力转向系统等关键功率控制环节。