时间：2025/9/15 3:44:17
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BUK9Y29-40E是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的增强型N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchMOS技术制造，具有优异的导通电阻和开关性能。这款器件专为高效率、高功率密度的电源应用而设计，适用于各种工业、汽车和消费类电子设备。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：40V
漏极电流（ID）：220A
导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ
栅极电荷（Qg）：110nC
功率耗散（Ptot）：250W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerSO-10
BUK9Y29-40E MOSFET具有极低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。其高电流处理能力（高达220A）使其适用于高功率需求的应用。该器件还具有良好的热稳定性和耐久性，可在极端温度条件下可靠运行。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了动态性能。
该MOSFET的栅极驱动要求较低，能够与标准逻辑电路兼容，降低了驱动电路的设计复杂性。其耐用性和高可靠性使其成为汽车电子系统、电动工具和工业电源等苛刻环境中的理想选择。
BUK9Y29-40E广泛应用于多个领域，包括汽车电子系统（如车载充电器、电机控制器）、工业自动化设备（如伺服驱动器、DC-DC转换器）、电信基础设施（如基站电源模块）以及消费类电子产品（如高性能电源适配器）。由于其优异的导热性能和紧凑的封装设计，该器件也适用于需要高功率密度和高效能的紧凑型设计。
IPB045N04N, SQJQ452E
