时间：2025/9/15 2:00:28
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BUK9Y25-60E,115 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，使其在高电流和高频率应用中表现出色。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：25A（在25°C下）
导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
封装形式：TO-220AB
工作温度范围：-55°C至+175°C
BUK9Y25-60E,115 的最大特点是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗，提高系统效率。该器件采用TrenchFET技术，实现更高的功率密度和更小的芯片尺寸，从而降低寄生电容并提高开关速度。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的雪崩能量承受能力，适用于需要高可靠性和高稳定性的工业和汽车应用。
该MOSFET的封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。此外，其额定工作温度范围较宽，可在极端环境条件下稳定运行。栅极驱动电压范围为±20V，确保在多种驱动条件下稳定工作。
由于其优异的电气性能和热管理能力，BUK9Y25-60E,115 特别适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电源管理系统以及电池供电设备中的高效率功率控制电路。
该器件广泛应用于各种功率电子设备中，包括工业自动化设备、电源模块、不间断电源（UPS）、电动工具、电动车控制系统、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及汽车电子系统等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源转换和高功率密度设计的理想选择。
BUK9Y25-60E,115 的替代型号包括BUK9Y25-60E、BUK9Y25-60E,118、IRFZ44N、IRF3710、SiR178DP、FDMS86181 和 STP25NM60N。这些型号在电气性能和封装上与BUK9Y25-60E,115 相似，可根据具体应用需求进行选型替代。
