时间：2025/9/14 12:50:43
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BUK9Y21-40E,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和良好的热性能，适合用于高效率、高功率密度的设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：115A（在Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：最大 4.2mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
安装类型：表面贴装（SMD）
BUK9Y21-40E,115 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在高电流下仍能保持良好的热稳定性，适用于高功率密度设计。此外，其 TO-263 封装提供了良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高耐久性的工业和汽车应用。
该 MOSFET 还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压情况下提供额外的保护。其栅极设计支持快速开关操作，从而减少开关损耗并提高动态性能。此外，BUK9Y21-40E,115 在工作温度范围内保持稳定的电气性能，适用于宽温度范围的应用场景，如电源转换器、马达控制和电池管理系统等。
该器件还符合 RoHS 环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。
BUK9Y21-40E,115 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中，包括电源管理模块、DC-DC 转换器、同步整流器、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关和工业自动化设备等。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。
在汽车电子领域，BUK9Y21-40E,115 可用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）控制器、电池管理系统以及各种功率控制模块。其高耐压和良好的热管理能力使其在高温和高负载环境下仍能稳定运行。
IPD90N03S4-03, IRF1404PbF, FDS4410AS, BSC090N03MS, BUK9507-40A
