时间：2025/9/14 12:53:29
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BUK9Y1R6-40HX 是由 NXP（恩智浦）公司推出的一款高性能、低压 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专门设计用于高效率、高功率密度的应用场景，如电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统等。BUK9Y1R6-40HX 采用先进的 Trench MOSFET 技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），能够在高电流负载下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件封装形式为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），具备优良的热性能和机械稳定性，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：160A（在 25°C）
导通电阻（RDS(on)）：1.6mΩ（典型值，VGS=10V）
最大功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
技术：Trench MOSFET
BUK9Y1R6-40HX 具备多项优异特性，使其在高功率和高效率应用中表现出色。
首先，该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)）1.6mΩ，在高电流应用中显著降低了导通损耗，从而提高了能效并减少了对散热器的需求。其 N 沟道结构和 Trench MOSFET 技术的结合，使得在相同芯片尺寸下实现了更高的电流承载能力。
其次，BUK9Y1R6-40HX 采用 LFPAK56 封装，这种封装形式是一种双侧散热的表面贴装封装，能够提供出色的热管理性能，提高了器件在高功率密度设计中的可靠性。同时，该封装具备良好的机械稳定性，适合在振动和温度变化较大的环境中使用。
此外，该 MOSFET 支持高达 160A 的连续漏极电流（在 25°C 环境温度下），适用于大电流负载场景，如电动汽车、工业电机驱动和高功率 DC-DC 转换器。其 ±20V 的栅源电压耐受能力也增强了在高噪声环境下的抗干扰能力。
值得一提的是，BUK9Y1R6-40HX 的高温工作能力（最高可达 175°C）使其适用于严苛的工业和汽车应用，符合 AEC-Q101 汽车电子标准，确保其在车载系统中的可靠运行。
综上所述，BUK9Y1R6-40HX 是一款高性能功率 MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流能力和优异的封装散热性能，广泛适用于现代高效率电源和电机控制系统。
BUK9Y1R6-40HX 主要应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。其典型应用包括电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、电动助力转向系统（EPS）等汽车电子系统；在工业领域，该器件可用于高性能电机驱动器、伺服控制系统、工业自动化设备和大功率电源模块；此外，由于其优异的导通性能和封装散热能力，也被广泛用于服务器电源、通信设备电源、电池管理系统（BMS）以及高功率负载开关等应用中。该器件符合 AEC-Q101 汽车电子标准，因此在汽车电子市场中尤其受到欢迎。
SiR142DP-T1-GE3, BSC016N04LS G, IPP016N04N G, FDS4410A
