时间：2025/5/12 10:41:10
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BUK9Y1R3-40HX 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。其高效率和低导通电阻的特性使其在功率管理领域具有广泛的应用前景。
BUK9Y1R3-40HX通过优化的半导体制造工艺，具备较低的导通电阻和栅极电荷，从而有效降低传导损耗和开关损耗，提高了系统整体效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：7.5A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：29nC
总电容：135pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
BUK9Y1R3-40HX 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通时的功耗。此外，它还具有较快的开关速度，能够支持高频操作。该器件采用了先进的制程技术，在确保性能的同时也提供了良好的热稳定性。
此款MOSFET拥有较高的雪崩击穿能力，能够在过载条件下提供一定的保护功能。同时，由于采用了TO-263封装，因此散热性能良好，便于安装和使用。
BUK9Y1R3-40HX 的开关特性使其适用于各种高频开关应用，例如降压型转换器和同步整流电路。此外，它的低栅极电荷设计进一步降低了开关过程中的能量损失，从而提升了系统的整体效率。
BUK9Y1R3-40HX 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景中。具体包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 同步整流电路
4. 电机驱动与控制
5. 消费类电子产品的电源管理模块
6. 工业自动化设备中的功率控制部分
这些应用都依赖于BUK9Y1R3-40HX出色的电气性能和可靠性，以实现高效的功率传输和控制。
IRLB8721PBF
STP10NK06Z
AO3400
