时间：2025/9/14 19:48:34
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BUK9Y19-100E,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的 Trench MOS 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适合在中高功率应用场景中使用。该 MOSFET 封装为 TO-220，具有良好的散热性能和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：19 A
导通电阻（Rds(on)）：25 mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：50 W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：TO-220
BUK9Y19-100E,115 具备多项优异性能，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极电压下仅为 25 毫欧，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件采用了 Nexperia 的先进 Trench MOS 工艺，优化了开关特性和热性能，使其在高频率开关应用中表现出色。此外，该 MOSFET 的最大漏极电流可达 19A，适合用于中高功率负载的控制。
该器件具有较高的栅极电压耐受能力，支持 ±20V 的栅源电压，提升了在复杂电磁环境下的稳定性与可靠性。其 TO-220 封装具备良好的散热能力，适合在没有额外散热片的情况下进行自然散热。此外，该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定的性能，最高工作温度可达 175°C，适用于严苛工业环境。
在可靠性方面，BUK9Y19-100E,115 符合 RoHS 标准，且具备较强的抗静电能力（ESD）和雪崩击穿能力，能够承受一定程度的过压和过流冲击，从而提升整个系统的稳定性和使用寿命。
BUK9Y19-100E,115 广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于电源适配器、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和汽车电子系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于同步整流、负载开关、高频开关电源以及电机控制电路中。
在电源管理领域，该 MOSFET 可用于构建高效的开关电源（SMPS）和稳压模块，提升整体能效。在电机驱动方面，该器件的低 Rds(on) 和高电流承载能力使其适用于 H 桥驱动电路和 PWM 控制系统。此外，在新能源领域如太阳能逆变器和储能系统中，该器件也常用于实现高效的能量转换和管理。
由于其良好的热性能和封装设计，BUK9Y19-100E,115 也适用于对空间限制较严的嵌入式系统和便携式设备，能够在有限的散热条件下保持稳定运行。
IRFZ44N, STP19NK10Z, FDPF19N10
