时间：2025/9/14 4:53:49
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BUK9Y07-30B,115 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适合用于高效能、高频开关场合，例如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。该MOSFET采用先进的TrenchMOS技术制造，确保了优异的热稳定性和电性能。
类型: N沟道MOSFET
漏源电压(VDS): 30V
栅源电压(VGS): ±20V
连续漏极电流(ID): 100A
导通电阻(RDS(on)): 3.7mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on))最大值: 4.5mΩ @ VGS=10V
功率耗散(PD): 200W
工作温度范围: -55°C 至 175°C
封装类型: LFPAK56
BUK9Y07-30B,115 采用了先进的TrenchMOS技术，使其在低电压应用中表现出色。其主要特性之一是极低的导通电阻（RDS(on)），典型值为3.7mΩ，在VGS=10V条件下，可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件能够承受高达100A的连续漏极电流，具有出色的电流处理能力，适用于高功率密度设计。此外，其最大漏源电压为30V，适用于常见的低压功率转换应用，如电池管理系统、DC-DC转换器和电动工具控制电路。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的栅极稳定性，且在高温下仍能保持稳定的导通性能。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），是一种低热阻、高可靠性的表面贴装封装，有助于提高散热效率并简化PCB布局。该封装还具有双侧散热能力，进一步增强了器件的热管理性能。
在可靠性方面，BUK9Y07-30B,115 符合AEC-Q100汽车级标准，适用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）。同时，该器件具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高整体系统的稳定性与寿命。
BUK9Y07-30B,115 被广泛应用于多个高性能功率管理领域。在电源管理方面，该MOSFET适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，可有效提升转换效率并减少热量产生。在工业自动化和电机控制领域，该器件可用于驱动高电流负载，如直流电机、电磁阀和继电器。此外，由于其符合汽车电子标准，该MOSFET也广泛应用于汽车系统，包括车载充电器、电动助力转向系统、电池管理系统以及启停系统等关键部件。在消费类电子产品中，BUK9Y07-30B,115 可用于高功率移动电源、笔记本电脑电源适配器和智能电池管理系统。
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"BUK9Y08-30B,115",
"BUK9Y06-30A,115",
"IPD90P03P4-03",
"STM32F401xB"
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