时间：2025/5/22 22:33:37
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BUK9M85-60EX是来自安森美（ON Semiconductor）的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263-3封装形式，适用于多种高效能开关应用场合。
这款功率MOSFET以低导通电阻和高开关速度为特点，能够有效减少传导损耗和开关损耗。其额定电压为60V，使其非常适合于中小功率的应用场景，例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：17A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ
栅极电荷：14nC
总功耗：25W
工作温度范围：-55℃至+175℃
BUK9M85-60EX具备极低的导通电阻，这有助于显著降低在高电流应用中的能量损失。同时，它具有快速的开关速度，可实现高效的开关操作，从而提高系统的整体效能。
该器件还拥有优秀的热稳定性，在高温环境下也能保持稳定的性能输出。此外，它的栅极电荷较低，可以减少驱动电路的负担并进一步提升效率。
由于采用了DPAK（TO-263）封装，这种封装形式不仅提供了良好的散热性能，而且易于安装和使用，非常适合需要紧凑设计的现代电子设备。
BUK9M85-60EX主要应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）、电机驱动电路以及负载开关等领域。
在开关电源中，该MOSFET可以用作主开关管或同步整流管，帮助实现高效率的能量转换。在电机驱动方面，它可以作为H桥电路中的功率开关，控制电机的正反转和速度调节。另外，在负载开关应用中，凭借其低导通电阻的特点，能够减小电压降并降低功耗。
BUK9M10-60E, BUK9M15-60E
