时间：2025/9/14 8:49:36
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BUK9M6R0-40HX是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和出色的开关性能，适用于需要高效能、低功耗的电源管理系统。该器件采用小型化的LFPAK56（Power-SO8）封装形式，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于汽车电子、工业控制、服务器电源和DC-DC转换器等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：150A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.6mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
功耗（Ptot）：140W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：LFPAK56（也称为Power-SO8）
BUK9M6R0-40HX具有多项优异的电气和物理特性，使其在高性能电源管理应用中表现出色。
首先，该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），最大值为0.6mΩ，能够在高电流条件下显著降低导通损耗，提高系统效率。这一特性对于高功率密度的电源设计至关重要，有助于减少发热并提高整体能效。
其次，BUK9M6R0-40HX采用了Nexperia先进的Trench MOSFET技术，该技术通过优化沟槽结构来提高器件的开关速度和导通性能，从而降低开关损耗，提高系统响应速度。这种设计使得器件在高频开关应用中表现出色，适用于诸如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场合。
此外，该器件采用LFPAK56（Power-SO8）封装，这种封装形式不仅体积小巧，还具备良好的热管理能力。由于其底部带有大面积的铜引脚，能够有效地将热量传导至PCB板上，从而提升散热效率，延长器件使用寿命。同时，这种封装形式也提高了器件的机械强度，使其在振动和冲击环境中依然保持稳定运行。
该MOSFET还具备高可靠性，适用于汽车电子系统中的关键应用，如车载电源管理、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）等。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够在极端环境条件下稳定运行，满足严苛的工业和汽车标准。
最后，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的栅极驱动电压，兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同的电源管理系统中。
BUK9M6R0-40HX广泛应用于多个高性能电源管理领域。在汽车电子领域，该器件常用于车载电源系统、电动助力转向系统、电池管理系统（BMS）以及车载充电器（OBC）等场景。其低导通电阻和优异的热管理能力，使其在高电流、高效率要求的汽车应用中表现出色。
在工业控制方面，该MOSFET适用于伺服电机驱动器、PLC（可编程逻辑控制器）电源模块、工业自动化设备的负载开关等。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于恶劣的工业环境。
此外，BUK9M6R0-40HX还可用于服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、储能系统和UPS（不间断电源）等应用。其高频开关能力和低导通损耗有助于提升这些系统的效率和稳定性，降低整体能耗。
该器件也非常适合用于高功率密度的同步整流电路、电池充放电管理电路以及大电流负载开关电路，能够有效提高系统效率并减少散热需求。
SiR142DP-T1-GE3, IPP015N04NG4S-07, BSC090N04LS G
