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BUK9M53-60EX 发布时间 时间:2025/9/15 0:58:27 查看 阅读:18

BUK9M53-60EX 是一款由 NXP Semiconductors 生产的高性能功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效率和高功率密度的应用。这款MOSFET采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(RDS(on))和优异的热性能,适用于汽车、工业和消费电子领域的多种电源管理应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):120A
  漏极-源极击穿电压(VDS):60V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大 2.3mΩ(在VGS=10V时)
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

BUK9M53-60EX 的核心特性之一是其极低的导通电阻,这显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。其高电流承载能力和耐压能力使其非常适合用于高功率应用场景,例如电机控制、电源转换器和电池管理系统。此外,该器件采用了先进的封装技术,具备优异的散热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  该MOSFET还具有较高的栅极电荷(Qg)性能,优化了开关速度,从而降低了开关损耗。其高可靠性设计符合汽车行业严格的标准,适用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电源管理系统。此外,BUK9M53-60EX 还具备良好的短路耐受能力,可以在极端工作条件下提供额外的安全保障。
  在封装方面,BUK9M53-60EX 通常采用高性能的Power-SO8封装形式,这种封装不仅体积小巧,便于在紧凑的PCB布局中使用,而且具有良好的电气性能和热管理能力。这使得该器件非常适合用于空间受限的应用场景,例如便携式电子设备和车载系统。

应用

BUK9M53-60EX 广泛应用于多个领域,包括但不限于汽车电子、工业自动化和电源管理系统。在汽车领域,该器件常用于电动汽车的电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)以及电机驱动控制系统。在工业领域,它被广泛应用于DC-DC转换器、不间断电源(UPS)以及电机控制模块。此外,在消费电子领域,该MOSFET也可用于高功率密度的电源适配器和储能系统。
  由于其优异的电气特性和高可靠性,BUK9M53-60EX 也常用于需要高效能和高稳定性的电源转换应用,例如太阳能逆变器、储能系统和高功率LED照明驱动电路。其高耐压能力和低导通电阻使其成为设计高性能电源系统时的理想选择。

替代型号

IRF1405, SiS432DN, FDS4410A, BSC090N03LS

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BUK9M53-60EX参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥5.33000剪切带(CT)1,500 : ¥2.27982卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)46 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)6 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)683 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)36W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK33
  • 封装/外壳SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)