时间：2025/9/14 22:28:52
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BUK9M52-40EX 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理系统。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特性，适用于汽车电子、工业控制、电源转换、电池管理系统等多种应用场景。该MOSFET采用D2PAK（TO-263）封装，具有良好的热性能和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大漏极电流（Id）@25°C：150A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：2.3mΩ
栅极电荷（Qg）：150nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
BUK9M52-40EX 采用了Nexperia先进的Trench沟槽MOSFET技术，显著降低了导通损耗并提高了开关效率。其导通电阻仅为2.3mΩ，有助于减少在高电流条件下的功率损耗，提高系统整体效率。该器件支持高达150A的漏极电流，在高负载应用中表现优异。同时，其最高工作温度可达175°C，具有良好的热稳定性和长期可靠性。
此外，该MOSFET具备优良的雪崩能量承受能力，增强了在高应力条件下的耐用性。其D2PAK封装设计不仅提供了优异的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产。该器件还具备较低的开关损耗，适用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。
BUK9M52-40EX 广泛应用于多个高功率和高效率要求的领域。在汽车电子中，常用于电池管理系统（BMS）、车载充电器、电机驱动控制和DC-DC转换器。在工业控制方面，适用于电源模块、UPS不间断电源、伺服驱动器和储能系统。此外，该器件也可用于高性能服务器电源、通信设备电源以及光伏逆变器等新能源应用。由于其优异的热性能和高电流能力，也非常适合用于需要高可靠性和长寿命的工业和汽车系统。
SiSS150N04DG-T1-GE3, IPP150N10N3GKSA1
