时间：2025/9/14 14:25:02
阅读：9
BUK9M35-80EX是一款由Nexperia（原飞利浦半导体业务）生产的高性能功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备优异的导通电阻和开关性能，适用于多种高功率应用场景。该MOSFET为N沟道增强型，具有80V的漏源击穿电压和35A的最大连续漏极电流，适用于需要高效率和低损耗的电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：35A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：5.7mΩ（最大值，VGS=10V）
功率耗散（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220AB
BUK9M35-80EX具有多项优异特性，包括极低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通损耗并提高了系统效率。其高电流承载能力使其适合用于高功率密度设计。该MOSFET的栅极氧化层设计支持±20V的栅源电压，增强了抗过压能力，提高了可靠性。
此外，该器件采用Nexperia的TrenchMOS技术，优化了电场分布，从而实现了更出色的开关性能和更低的开关损耗。其封装形式（TO-220AB）具有良好的热管理和机械稳定性，便于安装和散热。
BUK9M35-80EX还具备良好的抗雪崩能力，可在瞬态过压条件下提供额外的保护。它符合RoHS环保标准，并具有较高的可靠性和耐用性，适用于严苛的工作环境。
BUK9M35-80EX广泛应用于各种高功率和高效率电子系统，例如电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关和工业自动化设备。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能开关电源（SMPS）的理想选择。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等应用。此外，它也适用于太阳能逆变器、储能系统和智能电网设备等绿色能源解决方案。
由于其优异的热稳定性和抗干扰能力，BUK9M35-80EX还常用于电机控制、不间断电源（UPS）以及需要高可靠性的嵌入式系统中。
IRF1405, SiHF35N80, FDP35N80
