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BUK9M24-40EX 发布时间 时间:2025/9/14 15:38:32 查看 阅读:14

BUK9M24-40EX是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的功率MOSFET器件。该器件是一款增强型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高效率电源管理和功率转换应用而设计。该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高电流处理能力和优良的热性能,适用于如DC-DC转换器、电源管理模块、电池供电设备、电机控制和负载开关等多种应用。BUK9M24-40EX采用行业标准的LFPAK56(也称为Power-SO8)封装,具有优良的热管理和空间效率,适合高密度PCB设计。

参数

类型:增强型N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):24A
  最大漏源电压(VDS):40V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大12.5mΩ @ VGS = 10V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:LFPAK56(Power-SO8)

特性

BUK9M24-40EX的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高能效。该器件在VGS = 10V时的最大Rds(on)为12.5mΩ,确保在高电流应用中保持较低的传导损耗。此外,该MOSFET具有较高的电流承载能力,额定漏极电流可达24A,使其适用于高功率密度的设计。
   该器件的LFPAK56封装不仅提供优异的热性能,还具备出色的机械稳定性,能够在高温环境下可靠运行。这种封装技术有助于提高PCB的组装效率,并减少对散热器的依赖。
   BUK9M24-40EX的工作温度范围较宽,可在-55°C至+175°C之间稳定工作,适合工业级和汽车电子应用。其栅极驱动电压范围为±20V,兼容多种控制电路,且具备较强的抗静电能力和过热保护特性,提升了系统的整体可靠性。
   此外,该MOSFET的开关速度快,有助于减少开关损耗,并支持高频操作,适用于开关电源(SMPS)、同步整流、电机控制和负载管理等应用。

应用

BUK9M24-40EX广泛应用于各种功率电子系统中,包括DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电池供电设备、工业自动化控制系统、电机驱动器和负载开关电路。此外,该器件也适合用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统和车载信息娱乐系统中的电源管理模块。由于其高效率和紧凑封装,该MOSFET也常用于服务器电源、电信设备和消费类电子产品中的功率转换电路。

替代型号

SiR142DP-T1-GE3, FDS4410AS, IRF7434PBF, Nexperia BUK9M24-40E

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BUK9M24-40EX参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥5.96000剪切带(CT)1,500 : ¥2.53761卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)20 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7.7 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)798 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)44W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK33
  • 封装/外壳SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)