时间：2025/9/14 1:32:43
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BUK9M23-80EX是一款由Nexperia（安世半导体）制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计，适用于诸如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。其采用了先进的Trench肖特基技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)）以及出色的热性能，有助于提升系统效率并减少散热需求。该MOSFET采用DFN2020D-8（LF）封装，具备良好的散热能力和紧凑的设计，适合在空间受限的环境中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：80 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：60 A
导通电阻（RDS(on)）@ VGS=10V：4.2 mΩ
导通电阻（RDS(on)）@ VGS=4.5V：6.3 mΩ
栅极电荷（Qg）：110 nC
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
BUK9M23-80EX具备多项优良特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其低导通电阻在10V栅极电压下仅为4.2mΩ，显著降低了导通损耗，提升了能效。即使在4.5V栅极驱动电压下，RDS(on)也仅为6.3mΩ，这使其适用于低压栅极驱动器电路，如由3.3V或5V电源供电的微控制器。此外，该MOSFET的连续漏极电流高达60A，能够支持高功率负载的应用需求。
该器件采用了Nexperia的Trench肖特基技术，这种技术不仅提高了器件的开关性能，还增强了其抗雪崩能力，确保在高应力条件下的可靠性。此外，BUK9M23-80EX的DFN2020D-8封装具有低热阻（Rth(j-mb)约为1.3°C/W），能够有效地将热量从芯片传导到PCB上，从而提高了器件在高负载条件下的热稳定性。
另一个显著特点是其栅极电荷（Qg）仅为110nC，这意味着其在高频开关应用中具有较低的驱动损耗，从而有助于提高整体系统效率。此外，±20V的栅极电压容限增强了器件在瞬态电压环境中的稳定性，防止栅极氧化层击穿。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，并符合AEC-Q100汽车级可靠性标准，因此非常适合用于汽车电子系统、工业控制和通信设备中的功率管理模块。
BUK9M23-80EX适用于多种高功率密度和高效率要求的应用场景。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、电源分配系统以及服务器和通信设备中的电源模块。由于其优异的热性能和高电流能力，它也非常适合用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率转换系统，例如车载充电器（OBC）和DC-DC变换器。此外，该器件在工业自动化和智能电网系统中也广泛用于高边开关和保护电路。
IPB080N08N3 G, BSC090N08NS5 AG, BSC080N08NS5 AG
