类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：120A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：5.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至175°C

BUK9M12-60E,115 MOSFET采用了先进的Trench肖特基技术，使得其在同类产品中拥有极低的导通电阻(Rds(on))，从而显著降低了导通损耗并提高了系统效率。该器件在额定工作条件下可承载高达120A的连续漏极电流，使其适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具有优异的热稳定性和较高的可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
　　其TO-220封装形式具备良好的散热性能，适用于多种工业级应用场景。栅极驱动电压范围宽（最高可达20V），确保在不同驱动条件下都能实现稳定的导通状态。此外，该器件具有低开关损耗特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和电池管理系统等。
　　BUK9M12-60E,115还具备良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发过压或电感负载切换时的耐用性。同时，其封装设计符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子制造的环保要求。

BUK9M12-60E,115 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：高效DC-DC转换器、同步整流电源、电动车辆的电池管理系统(BMS)、工业自动化设备中的电机控制、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)系统以及各种高电流负载开关电路。其优异的导通特性和热稳定性使其成为高功率密度和高可靠性要求应用的理想选择。

IRF1405, SiR144DP, BUK9K14-60E,118