时间：2025/9/14 11:48:18
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BUK9M11-40HX 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术制造，具备低导通电阻、高功率密度和优异的热稳定性，适用于各种高效率功率转换和电源管理应用。BUK9M11-40HX 采用 HVSON（High-Voltage Small Outline No-lead）封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：40V
漏极电流 Id：11A
导通电阻 Rds(on)：11mΩ @ Vgs=10V
栅极电压 Vgs：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：HVSON
功率耗散 Pd：66W
阈值电压 Vgs(th)：2V @ Id=250μA
BUK9M11-40HX 具备多项优异特性，使其在功率应用中表现出色。
首先，该器件具有非常低的导通电阻（Rds(on) 仅为 11mΩ），这有助于降低导通损耗，提高系统效率，适用于高电流负载应用。该特性在同步整流、DC-DC 转换器和负载开关等场景中尤为重要。
其次，BUK9M11-40HX 采用 HVSON 封装，具备优异的热管理性能。这种封装形式不仅节省空间，还通过底部的散热焊盘实现高效散热，提高器件在高功率条件下的稳定性和可靠性。
此外，该 MOSFET具有较高的栅极电压耐受能力（±20V），增强了其在高频开关应用中的适用性，同时降低了栅极驱动电路的设计复杂度。其较低的栅极电荷（Qg）也使得开关损耗更低，提高了整体功率转换效率。
器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适应各种严苛环境下的应用需求，适用于汽车电子、工业控制和通信设备等要求高稳定性的应用场景。
BUK9M11-40HX 主要应用于各类高效率功率转换系统中，包括但不限于：
1. 同步整流器：在 AC-DC 和 DC-DC 转换器中作为整流元件，提高转换效率并降低损耗。
2. 负载开关：用于电源管理系统中，实现对负载的快速开关控制，如服务器、笔记本电脑和便携式设备中的电源管理模块。
3. 电池管理系统：适用于电动工具、无人机和储能系统中，用于电池充放电控制和保护电路。
4. DC-DC 转换器：在升压（Boost）和降压（Buck）电路中作为主开关器件，实现高效的电压转换。
5. 汽车电子：由于其宽工作温度范围和高可靠性，特别适用于汽车动力系统、车载充电器和车身控制模块等应用。
6. 工业自动化与电机驱动：用于变频器、伺服驱动器和直流电机控制电路中，提供高效稳定的功率控制。
Si4410BDY, IRF7413, FDS6680, BUK9M12-40HX
