时间：2025/5/15 9:25:02
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BUK9K6R2-40E 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263-3封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种电源管理和功率转换应用，例如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等。其耐压能力为40V，能够满足大多数低压系统的性能需求。
BUK9K6R2-40E通过优化的芯片设计和封装技术，在效率、散热性能以及可靠性方面表现优异，同时支持表面贴装技术（SMD），便于自动化生产和组装。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：18A
最大栅极源极电压：±20V
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：6.5mΩ
栅极电荷（典型值）：27nC
输入电容（典型值）：1380pF
总功耗：230W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-263-3
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 支持表面贴装技术，简化了生产流程并提高了可靠性。
5. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 各类电机驱动应用，如无刷直流电机（BLDC）控制。
4. 负载开关和保护电路设计。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子领域中的负载切换和电源调节。
NTMFS4828N, IRFZ44N, FDP16N40L
