BUK9K6R2-40E 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263-3封装,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种电源管理和功率转换应用,例如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等。其耐压能力为40V,能够满足大多数低压系统的性能需求。
BUK9K6R2-40E通过优化的芯片设计和封装技术,在效率、散热性能以及可靠性方面表现优异,同时支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和组装。
最大漏源电压:40V
最大连续漏极电流:18A
最大栅极源极电压:±20V
导通电阻(典型值,Vgs=10V):6.5mΩ
栅极电荷(典型值):27nC
输入电容(典型值):1380pF
总功耗:230W
工作结温范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-263-3
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,减少开关损耗,适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 支持表面贴装技术,简化了生产流程并提高了可靠性。
5. 工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 各类电机驱动应用,如无刷直流电机(BLDC)控制。
4. 负载开关和保护电路设计。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子领域中的负载切换和电源调节。
NTMFS4828N, IRFZ44N, FDP16N40L