时间：2025/9/14 18:17:02
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BUK9K45-100E,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种电源管理和功率转换应用中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于工业控制、电源供应器、电机驱动以及汽车电子系统等高要求的环境。其封装形式为 TO-220AB，便于安装并具备良好的散热性能。
类型: N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds: 100V
最大漏极电流 Id: 45A
导通电阻 Rds(on): 12.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压 Vgs(th): 2V ~ 4V
最大功耗 Pd: 84W
工作温度范围: -55°C ~ +175°C
封装形式: TO-220AB
BUK9K45-100E,115 具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件在设计上优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，从而提高了整体能效。
此外，该 MOSFET 的热稳定性良好，能够在高负载和高温环境下保持稳定运行，具备较强的过载和短路保护能力。其封装形式为 TO-220AB，具备良好的散热能力，适用于需要高可靠性的应用场景。
该器件采用先进的沟槽技术，增强了电流承载能力并降低了导通压降。其栅极驱动电压范围较宽（2V~10V），适用于多种驱动电路设计，便于与各种控制 IC 配合使用。
BUK9K45-100E,115 还具备较高的抗雪崩能力，增强了在突发电压冲击下的可靠性，适合应用于电机控制、电源转换等场合。
BUK9K45-100E,115 广泛应用于多种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、工业自动化设备以及汽车电子系统等。在电动车、工业电源、太阳能逆变器和UPS系统中也有广泛使用。其低导通电阻和高效率特性使其成为高性能功率转换应用的理想选择。
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"BUK9K55-100E",
"IRF3710",
"FDP450N10A",
"SiHH45N10"
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