时间：2025/9/14 0:54:41
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BUK9K35-60RAX 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能功率 MOSFET 器件，采用先进的 TrenchMOS 技术制造。该器件是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（FET），适用于需要高效率和低导通损耗的功率转换应用。BUK9K35-60RAX 具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，使其非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：35A
导通电阻（Rds(on)）：最大 6.0mΩ（在 Vgs=10V 时）
功率耗散（Ptot）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
引脚数：3
技术：TrenchMOS
BUK9K35-60RAX 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。该器件采用了先进的 TrenchMOS 工艺，使得在相同芯片面积下实现了更高的电流密度，从而在紧凑封装中提供更高的性能。
该 MOSFET 在高温环境下具有良好的稳定性，并且能够在高达 +175°C 的结温下运行，适合严苛的工业和汽车应用环境。此外，BUK9K35-60RAX 的栅极驱动电压范围宽（最高可达 20V），允许使用标准的 10V 或 12V 栅极驱动电路，提高了设计灵活性。
该器件的封装采用 TO-220AB 标准塑料封装，具备良好的散热性能，适合通孔安装（Through Hole），在电源模块、功率开关和电机驱动电路中广泛应用。此外，该 MOSFET 还具备较强的短路耐受能力和过载保护能力，增强了系统的可靠性。
由于其优异的导通特性和封装设计，BUK9K35-60RAX 可以在高频率开关应用中保持较低的开关损耗，适用于诸如同步整流、负载切换和高效率电源转换器等应用场景。
BUK9K35-60RAX 广泛应用于各类高效率功率管理系统中，包括但不限于：DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制、工业电源、服务器电源、电信设备电源以及汽车电子系统（如车载充电器、电动助力转向系统等）。其低导通电阻和高电流能力也使其成为高性能功率开关的理想选择。
IRF3205, IPD90N06S4-03, BUK9K56-60E, BSC050N06LS
