BUK9K25-40E 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其主要应用领域包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等电路中。该器件的封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装工艺。
这款MOSFET因其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
型号:BUK9K25-40E
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:40V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:28A(Tc=25°C)
导通电阻Rds(on):3.7mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗Ptot:160W
结温范围Tj:-55°C至+175°C
封装:TO-263 (D2PAK)
工作环境温度范围:-55°C至+150°C
BUK9K25-40E 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低导通损耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,有助于减少开关损耗并提高开关频率。
3. 强大的电流处理能力,能够支持高达28A的连续漏极电流。
4. 热性能优越,通过优化的封装设计提高了散热效率。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
6. 提供了可靠的静电防护功能,增强了器件在实际应用中的耐用性。
7. 封装形式兼容性强,便于集成到各类印刷电路板中。
BUK9K25-40E 的应用范围非常广泛,主要包括以下几个方面:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 各类电机驱动电路,例如步进电机、直流无刷电机等。
3. DC-DC转换器中的同步整流和主开关元件。
4. 负载开关和保护电路,用于过流保护及快速切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电池管理、电动座椅驱动等功能模块。
由于其高性能和高可靠性,该MOSFET非常适合需要高效功率转换和高电流处理能力的应用场景。
IRFZ44N, FDP55N20, PSMN023-30PL