时间：2025/9/14 13:04:35
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BUK9K20-80EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和优异的热性能，适用于汽车电子、工业电源、DC-DC转换器以及负载开关等场景。BUK9K20-80EX采用LFPAK56（也称为Power-SO8）封装，具有良好的散热性能和可靠性，是现代高功率密度电源系统中的理想选择。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：180A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：2.0mΩ（最大值，典型值为1.7mΩ）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
BUK9K20-80EX具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。
首先，其导通电阻（RDS(on)）仅为2.0mΩ（典型值为1.7mΩ），显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。这对于需要高效率的DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统尤为重要。
其次，该MOSFET的漏源电压（VDS）额定为80V，能够满足多数中压电源系统的需求，例如48V车载系统、工业伺服驱动和电动工具等应用。同时，其栅源电压容限为±20V，提高了栅极驱动电路的兼容性和稳定性。
第三，BUK9K20-80EX采用LFPAK56（Power-SO8）封装，该封装具备优异的热管理性能，有助于快速散热并提高器件在高负载下的可靠性。这种封装形式也便于自动化贴片组装，适用于高密度PCB布局。
此外，该器件的连续漏极电流额定值高达180A（在25°C下），在高温环境下仍能保持良好的导通能力，适用于高电流应用场景。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适应了广泛的工作环境，包括汽车电子和工业控制系统等严苛条件。
综上所述，BUK9K20-80EX凭借其低导通电阻、高电流能力、优良的散热性能和宽泛的工作温度范围，成为高功率密度和高效率电源设计的理想选择。
BUK9K20-80EX广泛应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。其典型应用包括：48V汽车电子系统中的DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统；工业伺服驱动器、智能功率模块（IPM）和高功率LED照明系统；电信设备和服务器电源中的负载开关和功率转换模块；以及电动工具、无人机和储能系统中的高电流开关控制电路。该器件的高可靠性和优良的热性能使其在恶劣环境条件下仍能稳定运行。
Infineon BSC020N08LS G, ON Semiconductor NVMS080NTR, STMicroelectronics STL200N8F7AG4, Toshiba TPC8054-H
