BUK9K18-40E 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种电源管理和功率转换应用。其额定电压为40V,能够满足多种工业和消费类电子产品的设计需求。
该器件的封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装,有助于提高电路板的集成度和散热性能。由于其出色的电气特性和可靠性,BUK9K18-40E在电机驱动、DC-DC转换器、负载开关等领域有着广泛的应用。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:115A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:39nC
开关速度:快速
结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-263
BUK9K18-40E具有非常低的导通电阻,仅为1.8毫欧,这使得它在大电流应用中能够显著降低功耗并提升效率。
此外,该器件的栅极电荷较低,仅为39纳库仑,这意味着它可以实现更快的开关速度,并且在高频工作条件下表现优异。
其额定电流高达115A,确保了在高负载条件下的稳定运行。同时,该器件支持的工作温度范围广,从-55℃到175℃,非常适合在极端环境下的应用。
另外,TO-263封装提供了良好的散热性能,使其能够轻松应对高功率密度的设计挑战。
BUK9K18-40E适用于多种功率管理场景,包括但不限于以下领域:
1. 电机驱动:用于控制和调节直流或无刷直流电机的速度和方向。
2. DC-DC转换器:作为功率级开关元件,用于升压、降压或反激式转换器。
3. 负载开关:提供高效的负载通断控制,广泛应用于笔记本电脑、服务器和其他便携式设备。
4. 电池管理系统:用于保护电池组免受过流和短路的影响。
5. 工业自动化:在可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器中用作功率输出级。
BUK9K15-40E, BUK9K20-40E