时间：2025/9/14 23:21:45
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BUK9K134-100EX 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度和低导通电阻的应用而设计，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。该 MOSFET 采用先进的 Trench MOS 技术，结合了低导通电阻与高开关性能的优点。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：100 V
栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id（在 25°C）：130 A
导通电阻 Rds(on)（最大值，Vgs=10V）：2.3 mΩ
功率耗散（Ptot）：200 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
BUK9K134-100EX 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用 Trench MOS 工艺，实现了更高的电流密度和更小的芯片尺寸，从而在相同性能水平下减小了整体封装体积。
此外，该 MOSFET 具有较高的栅极电荷（Qg）与导通电阻的乘积（Rds(on)*Qg），优化了开关性能与导通损耗之间的平衡，使其适用于高频开关应用。器件的栅极设计支持高达 ±20 V 的栅源电压，增强了其在不同驱动条件下的稳定性和可靠性。
在热性能方面，TO-220AB 封装具备良好的热管理能力，能够在高功率条件下有效散热，从而延长器件寿命并提升系统稳定性。该器件还具有良好的短路耐受能力，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。
BUK9K134-100EX 适用于多种高功率、高效率的电子系统，尤其适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动器等应用。其低导通电阻和高电流能力使其成为电源管理系统（如服务器电源、通信设备电源和工业控制电源）中的理想选择。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统等高要求的场景。此外，在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统和储能系统中，BUK9K134-100EX 也能发挥出色的性能。
由于其优异的热性能和高可靠性，该 MOSFET 也被广泛应用于需要高稳定性的工业自动化和电机控制应用中，例如伺服驱动器和变频器。
SiHF130N10T-GE3, IPP130N10S4-03, FDBL0130AS1-F085
