BUK9880-55A/CU是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的高性能功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的TrenchMOS技术,提供低导通电阻和高效能,适用于各种高功率应用。这款MOSFET的封装形式为D2PAK,便于在高功率条件下进行散热管理。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):80A
漏源极电压(VDS):55V
栅源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大8.5mΩ(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):200W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:D2PAK
BUK9880-55A/CU具有多项优异特性,使其适用于高功率电子系统。其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流条件下的低功耗和高效率。此外,该器件具有高雪崩能量耐受能力,能够在极端条件下保持稳定运行。TrenchMOS技术的使用不仅提升了器件的开关性能,还降低了导通损耗,从而提高了整体能效。
该MOSFET的D2PAK封装提供了良好的热管理性能,使其能够在高功率密度环境下稳定工作。其高栅极电压容限(±20V)也增强了器件在不同工作条件下的可靠性。此外,BUK9880-55A/CU具备优异的短路和过热保护能力,适用于需要高可靠性和稳定性的工业和汽车电子系统。
该器件在设计上优化了电磁干扰(EMI)性能,降低了开关过程中的噪声水平,从而减少了对外部滤波电路的需求。同时,其快速开关特性也有助于提高系统的整体响应速度和能效。
BUK9880-55A/CU广泛应用于多种高功率电子系统,包括但不限于电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及汽车电子设备。该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的工业自动化设备和电动车辆系统。由于其优异的热管理和高电流承载能力,它也常用于电源供应器和高功率LED照明系统。
Si7320DP, IRF1404, BSC080N03LS