时间：2025/6/24 5:43:04
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BUK9880-55是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点，适合应用于各种高效能的电源管理场景。
BUK9880-55的设计使其在要求高效率和低损耗的应用中表现出色，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等电路中。
型号：BUK9880-55
类型：N沟道功率MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.7mΩ
Id（连续漏极电流）：123A
Qg（栅极电荷）：45nC
fT（截止频率）：2.3MHz
Vgs(th)（栅源开启电压）：2.5V~4.5V
Ptot（总功耗）：160W
封装形式：TO-263-3
BUK9880-55采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，从而提高整体系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达123A的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，其低栅极电荷和高频响应使得它非常适合高频开关应用。
4. 良好的热稳定性，有助于提高系统的可靠性和寿命。
5. 封装形式为TO-263-3，这种封装提供了良好的散热特性和电气连接性能。
BUK9880-55广泛应用于需要高效功率转换和开关的领域，主要应用包括：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器和工业电源。
2. DC-DC转换器，用于汽车电子、通信设备和消费电子产品中的电压调节。
3. 电机驱动，特别适用于小型直流电机和步进电机的控制。
4. 负载切换电路，在需要快速响应和低损耗的场合下表现优异。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块，确保稳定可靠的运行环境。
BUK9Z08-55E
IRF3205
FDP5510
STP120NF06L
