时间：2025/8/2 8:37:07
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BUK9875-100A 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流和高效率应用而设计，具有极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电压条件下提供卓越的性能。BUK9875-100A 采用先进的 Trench MOSFET 技术，适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：100V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id（@25°C）：75A
最大脉冲漏极电流 Idm：300A
导通电阻 Rds(on)（@Vgs=10V）：约 3.7mΩ
导通电阻 Rds(on)（@Vgs=4.5V）：约 4.5mΩ
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK9875-100A MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流应用中可以显著减少导通损耗，提高系统效率。该器件在 Vgs=10V 时的典型导通电阻仅为 3.7mΩ，而在较低栅极电压（如 4.5V）下，Rds(on) 也保持在较低水平（约 4.5mΩ），适用于多种栅极驱动条件。
此外，该 MOSFET 具有高电流处理能力，连续漏极电流可达 75A，在脉冲条件下甚至可承受高达 300A 的电流，适用于需要高功率密度的设计。其高 Vds 耐压能力为 100V，能够满足各种中高功率应用场景的需求。
封装方面，BUK9875-100A 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于在 PCB 上安装和散热管理。该封装支持高功率应用的同时，也简化了 PCB 布局和组装工艺。
该器件还具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C），适用于恶劣环境条件下的工业和汽车电子应用。其高可靠性设计确保了在长期运行中的稳定性能。
BUK9875-100A 主要应用于高功率密度和高效率需求的电子系统中，例如同步整流式 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器和工业自动化设备。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效能功率管理的电源转换系统中。
在汽车电子领域，BUK9875-100A 可用于车载电源转换系统、LED 照明驱动和电动助力转向系统等应用。其宽泛的温度范围和高可靠性使其成为汽车和工业环境中的理想选择。
在服务器和通信电源中，该 MOSFET 可用于多相位供电系统、VRM（电压调节模块）和 POL（负载点）电源转换器，以提升整体系统效率和功率密度。
IRF1405, Si7452DP, IPB075N10N3, BSC090N10NS5
