时间：2025/9/14 16:17:46
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BUK9875-100A/C1 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能功率MOSFET晶体管，采用增强型垂直沟道结构设计，适用于高电流和高功率应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，使其非常适合用于工业控制、电源管理和电机驱动等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：75A
功耗（Ptot）：200W
导通电阻（Rds(on)）：约6.5mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK9875-100A/C1 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。该器件采用了先进的沟槽技术，以优化电流传导能力并增强热稳定性。其耐高温能力使其能够在恶劣的环境条件下运行，而不影响性能。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。它还具备良好的雪崩能量耐受能力，提高了器件在高能量负载下的可靠性。
该器件的封装形式为TO-263（D2PAK），是一种表面贴装封装，便于在高功率密度设计中使用，并具有良好的散热性能。这种封装方式也有助于实现自动化装配，提高生产效率。
BUK9875-100A/C1 广泛应用于多个领域，包括但不限于工业自动化、电源系统、电机控制、电池管理系统（BMS）、电动车充电器、太阳能逆变器以及各种高功率DC-DC转换器。在这些应用中，该MOSFET可以作为开关元件使用，以高效控制电流流动，同时减少能量损耗和发热问题。其优异的热管理和高耐压特性也使其适用于需要长时间稳定运行的工业设备。
IRF1405, STP75NF75, FDP8876, SiS434CDN
