类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-55 V
　　连续漏极电流（ID）：-12 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：-48 A
　　导通电阻（RDS(on)）：30 mΩ @ VGS = -10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：35 mΩ @ VGS = -4.5 V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-1.2 V ~ -2.3 V
　　栅极电荷（Qg）：24 nC @ VGS = -10 V
　　输入电容（Ciss）：920 pF @ VDS = -25 V
　　反向恢复时间（trr）：未适用（无体二极管反向恢复问题）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：LFPAK56 (Power-SO8)

BUK9775-55A具备多项卓越的技术特性，使其在同类P沟道MOSFET中脱颖而出。首先，其采用的LFPAK56封装是一种底部冷却式贴片封装，相较于传统的TO-220或DPAK封装，具有更低的热阻和更高的机械稳定性。这种封装技术通过缩短内部连接路径，有效降低了寄生电感和电阻，提升了器件在高频开关环境下的动态性能。同时，裸焊盘设计增强了散热能力，使得即使在高负载条件下也能保持较低的结温，延长器件寿命并提高系统可靠性。
　　其次，该器件拥有极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = -10V时仅为30mΩ，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。对于电池供电设备或对能耗敏感的应用而言，这一点尤为重要。此外，低栅极电荷（Qg = 24nC）意味着驱动电路所需的能量更少，不仅降低了驱动损耗，还允许使用更小的驱动芯片，进一步节省PCB空间和成本。
　　再者，BUK9775-55A具备出色的开关速度和稳定性。由于其结构优化，输入电容（Ciss）仅为920pF，在高频操作中表现出色，能够支持数百kHz乃至MHz级别的开关频率，适用于现代高频率DC-DC变换器拓扑如同步降压、半桥和全桥架构。同时，P沟道特性使其在高端开关配置中无需复杂的自举电路，简化了驱动设计，尤其适合低压侧关断、高端开关控制等应用场景。
　　最后，该器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和功率循环测试，确保在恶劣工况下长期稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其可应用于极端环境，如汽车引擎舱、工业电机控制和户外通信基站等。综合来看，BUK9775-55A凭借其高性能、高可靠性和易于集成的特点，成为高端电源管理解决方案中的理想选择。

BUK9775-55A广泛应用于多种高性能电源管理系统中。在电信和数据中心领域，它被用于48V中间总线转换器和POL（Point-of-Load）稳压模块，利用其低RDS(on)和高开关频率能力实现高效能量传输。在汽车电子方面，该器件适用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）中的高端开关控制，尤其是在12V/48V双电压架构中发挥关键作用。此外，在工业自动化设备中，如PLC控制器、伺服驱动器和UPS不间断电源，BUK9775-55A可用于负载开关、电源路径管理和热插拔电路，提供快速响应和过流保护功能。消费类电子产品中，该器件也常见于高端笔记本电脑适配器、LED照明驱动和无线充电发射端电路，支持小型化设计并提升能效。由于其符合AEC-Q101标准且具备优良的热性能，特别适合需要长期稳定运行和紧凑布局的嵌入式系统。

PSMN023-55YLC, BUK9Y855-55E, IPP095N04L