BUK964R8-60E 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的功率MOSFET技术,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。其特点是具有低导通电阻和高切换速度,能够在高频条件下提供高效的性能表现。
BUK964R8-60E的工作电压范围为60V,并且具有极低的Rds(on),使其在各种功率管理电路中能够有效减少传导损耗,提升整体效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:17.5A
导通电阻(Rds(on)):2.3mΩ
栅极电荷:12nC
输入电容:1030pF
总功耗:12W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为2.3毫欧姆,在大电流应用中能显著降低传导损耗。
2. 高速切换能力,得益于较小的栅极电荷(Qg=12nC),从而减少了开关损耗。
3. 较宽的工作温度范围(-55°C至+175°C),适合于恶劣环境下的工业和汽车应用。
4. 符合RoHS标准,绿色环保。
5. 具备出色的热稳定性和可靠性,可以承受重复浪涌电流冲击。
6. 采用TO-220封装形式,便于安装与散热设计。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 负载开关
5. 汽车电子系统中的功率管理
6. 工业自动化设备中的功率级驱动
IRF7726PBF
STP17NF06L
FDP17N60