时间：2025/9/14 15:28:37
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BUK964R8-60E,118 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高可靠性的电源管理应用而设计，广泛用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机控制和负载开关等场合。该 MOSFET 采用先进的 Trench MOS 工艺，具有低导通电阻、高电流能力和优良的热稳定性。其封装形式为 TO-263 (D2PAK)，便于散热和高功率密度设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：60V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：150A
导通电阻 Rds(on)：4.2mΩ @ Vgs=10V
最大功耗：240W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：TO-263 (D2PAK)
BUK964R8-60E,118 具有多个关键特性，使其适用于高功率和高效率的应用场景。首先，其极低的导通电阻 Rds(on) 仅为 4.2mΩ（在 Vgs=10V 时），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用 Nexperia 的高性能 Trench MOS 技术，实现了更高的电流密度和更低的开关损耗。此外，该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定的性能，工作温度范围达到 -55°C 至 +175°C，适应性强。
该器件的封装形式为 TO-263 (D2PAK)，具有良好的热管理能力，便于在高功率应用中实现高效散热。其栅极设计支持 ±20V 的最大栅源电压，增强了器件在高压开关环境中的稳定性与可靠性。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩耐受能力，能够在瞬态过电压情况下提供一定的保护作用，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。
BUK964R8-60E,118 的制造符合 AEC-Q101 汽车级标准，适合用于汽车电子系统中，如电动助力转向、车载充电器和电池管理系统等。其高耐用性和低损耗特性也使其成为服务器电源、电信设备和工业电机驱动的理想选择。
BUK964R8-60E,118 广泛应用于多个高功率密度和高效率电源管理系统中。在汽车电子领域，它常用于车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS）等关键部件中，提供高效的功率开关功能。在工业领域，该 MOSFET 常见于 DC-DC 转换器、电机控制模块、电源供应器和负载开关等应用，支持高电流和高效率的系统设计。此外，该器件也适用于服务器电源、UPS（不间断电源）和电信基础设施设备等对可靠性要求较高的高端应用场合。
IPB06N04LA G, STP150N6F6, BSC090N04LS G, BUK964R4-60E
