时间：2025/9/14 11:39:12
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BUK964R4-40B,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：200A
导通电阻（Rds(on)）：4.4mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK964R4-40B,118 的主要特性之一是其极低的导通电阻，仅为4.4毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术，使得在保持高性能的同时实现更小的芯片尺寸。
此外，BUK964R4-40B,118 具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达200A，使其适用于高功率密度设计。该MOSFET还具备出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，并具有良好的热阻特性，有助于提高整体系统的可靠性。
该器件采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能，适用于自动化生产流程。封装设计也使其便于安装在PCB上，并能有效降低寄生电感，提高开关性能。
其栅极驱动电压范围为±20V，推荐在10V左右驱动以实现最佳导通性能。由于其高栅极阈值电压稳定性，BUK964R4-40B,118 可以在多种控制电路中使用，确保在复杂电磁环境下仍能可靠工作。
BUK964R4-40B,118 常用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的高功率开关电路。由于其高效率和高可靠性，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等。
在服务器和通信设备的电源模块中，BUK964R4-40B,118 可用于同步整流器、负载点电源（POL）和高效率转换器设计。其高电流承载能力和低导通电阻特别适合于需要高效能和高功率密度的应用场合。
此外，该MOSFET还可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及工业电机驱动系统中，作为关键的功率开关元件。其优异的热性能和稳定性使其在恶劣环境中也能保持良好工作状态。
SiS14C, IRF1404, IPB041N04N, BSC044N04LS
