BUK9640 时间：2025/12/27 20:34:23 阅读：11

BUK9640-55B是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能TrenchMOS系列N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高效率电源转换和功率开关场合。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在硬开关和高频应用中表现出色。BUK9640-55B的漏源电压（VDS）为55V，连续漏极电流（ID）高达120A，使其适用于大电流、低电压的开关电源系统。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），具有优异的热性能和机械可靠性，适合自动化贴片生产。这款MOSFET特别设计用于降低传导损耗和开关损耗，提升整体系统效率，因此在DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、服务器电源以及汽车电子等领域得到广泛应用。此外，该器件符合RoHS标准，无铅且绿色环保，支持现代电子产品的可持续发展要求。

参数

型号：BUK9640-55B
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：55 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大连续漏极电流（ID @ 25°C）：120 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：360 A
　　导通电阻（RDS(on) @ VGS = 10V）：3.6 mΩ
　　导通电阻（RDS(on) @ VGS = 4.5V）：4.7 mΩ
　　栅极电荷（Qg @ VDS = 30V, ID = 60A）：73 nC
　　输入电容（Ciss）：3320 pF
　　输出电容（Coss）：980 pF
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　耗散功率（Ptot）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +175 °C
　　封装：LFPAK56 (Power-SO8)

特性

BUK9640-55B具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于极低的导通电阻与良好的开关特性的结合。该器件在VGS = 10V时，RDS(on)低至3.6mΩ，显著降低了大电流应用中的传导损耗，提高了电源系统的整体效率。即使在较低的栅极驱动电压下（如4.5V），其RDS(on)仍保持在4.7mΩ的优异水平，兼容现代低压逻辑控制器（如DSP或PWM控制器）的直接驱动需求，无需额外的电平转换电路。
　　该MOSFET采用NXP专有的TrenchMOS技术，通过优化沟槽结构和掺杂分布，实现了更高的载流子迁移率和更低的JFET电阻，从而在相同硅片面积下提供更优的性能。此外，其电荷平衡设计有效减少了栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），降低了开关过程中的能量损耗，尤其适用于高频DC-DC变换器等对开关速度要求较高的场景。
　　在热管理方面，LFPAK56封装采用铜夹连接（Copper Clip）技术，替代传统的铝线键合，大幅提升了电流承载能力和热传导效率。封装底部的裸露焊盘可直接焊接至PCB散热区域，实现高效的热量传递，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。同时，该封装具有良好的抗热循环疲劳能力，适用于汽车和工业级应用环境。
　　BUK9640-55B还具备优良的雪崩耐受能力和坚固的栅氧化层设计，能够在瞬态过压和负载突变情况下保持可靠工作。其内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr = 28ns），有助于减少反向恢复电荷和相关电磁干扰（EMI），在同步整流和半桥拓扑中表现良好。综合来看，该器件在性能、可靠性和封装技术方面均处于同类产品领先水平。

应用

BUK9640-55B广泛应用于需要高效、大电流开关能力的电力电子系统中。典型应用场景包括：服务器和通信设备中的多相DC-DC降压转换器，用于为CPU和GPU提供稳定的低电压大电流供电；电动汽车和混合动力汽车中的车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块及电池管理系统（BMS）中的功率开关单元；工业电机驱动器中作为H桥或半桥拓扑的主开关器件，实现精确的转矩和速度控制；太阳能逆变器和储能系统的功率级开关，提升能量转换效率；此外，该器件也适用于高密度电源适配器、笔记本电脑电源板、电动工具以及无人机等便携式大功率设备。由于其优异的热性能和紧凑的表面贴装封装，特别适合空间受限但散热要求高的应用场合。在汽车电子领域，该器件满足AEC-Q101认证要求，可在严苛的温度和振动环境下长期稳定运行，是现代智能驾驶和车联网系统中关键的功率元件之一。