时间：2025/9/14 12:14:16
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BUK9640-100A,118 是由 Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 TrenchMOS 技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力。该器件广泛应用于电源管理和功率转换系统中，适用于高效、高频开关操作。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：70 A（在 Tc=25°C）
漏源导通电阻（RDS(on)）：9.9 mΩ（最大值，VGS=10V）
功率耗散（Ptot）：160 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB
引脚数：3
工艺：TrenchMOS 技术
BUK9640-100A,118 具有优异的导通性能和开关特性，适用于各种高效率功率应用。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，提供了卓越的热稳定性和可靠性，能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，该 MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了其在瞬态过电压条件下的稳定性。
该器件的栅极驱动要求较低，适用于常见的 10V 栅极驱动器，同时具备良好的抗干扰能力。其封装形式为 TO-220AB，便于安装在散热器上，有效提高散热效率。该 MOSFET还具备较高的短路耐受能力，适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
在封装和材料方面，BUK9640-100A,118 使用符合 RoHS 标准的无铅材料，满足环保要求，并具有优异的耐湿性和长期可靠性。
BUK9640-100A,118 主要应用于各种功率电子设备中，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动、电源管理系统、工业自动化设备以及汽车电子系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源转换器和负载开关的理想选择。此外，它还适用于 UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等高功率应用场合。由于其优异的热性能和可靠性，该 MOSFET 在高要求的工业和汽车环境中表现出色。
IPD90N10S3-03, IRF1404, Si7490DP, BSC090N10NS5
