BUK963R3-60E 是一款由安森美(onsemi)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理和功率转换应用。它广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
BUK963R3-60E 的封装形式为TO-263-3(D2PAK),这种封装方式使其具备良好的散热性能和机械稳定性。其设计能够承受较高的电流和电压,并保持较低的功耗。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:34A
导通电阻:3mΩ
栅极电荷:15nC
总电容:1380pF
最大工作结温:175°C
存储温度范围:-55°C 至 175°C
BUK963R3-60E 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(典型值为3mΩ),可以有效减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力,有助于降低开关损耗,从而优化高频操作下的性能。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 符合RoHS标准,支持环保要求。
5. 热稳定性良好,能够在较宽的温度范围内稳定工作。
6. 内部二极管反向恢复时间短,进一步提升了整体效率。
BUK963R3-60E 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器,如降压或升压电路。
3. 各类电机驱动,包括无刷直流电机(BLDC)控制器。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。
由于其低导通电阻和快速开关特性,该器件非常适合对效率和热管理要求较高的应用环境。
IRLB8749PBF, FDP5570N, BUK9Z04-60E