BUK963R1-40E 时间：2025/9/14 18:21:23 阅读：4

BUK963R1-40E 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。BUK963R1-40E 采用先进的Trench沟槽技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率。其封装形式为D2PAK（TO-263）表面贴装封装，便于在PCB上安装并实现良好的散热性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压(Vds)：40V
　　最大源极电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：160A
　　导通电阻(Rds(on))：1.1mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：D2PAK（TO-263）
　　栅极电荷(Qg)：170nC（典型值）
　　漏极-源极击穿电压(BVdss)：40V

特性

BUK963R1-40E 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这使得该MOSFET在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。其Rds(on)典型值为1.1mΩ，在10V的栅极驱动电压下表现优异，适用于高频开关应用。此外，该器件采用了先进的Trench沟槽技术，能够在保持高耐压能力的同时实现更小的芯片尺寸，从而提高集成度。
　　另一个重要特性是其高电流承载能力。BUK963R1-40E的最大连续漏极电流可达160A，适用于高功率密度设计，如服务器电源、电动工具、工业自动化设备和汽车电子系统。此外，该器件具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET采用D2PAK（TO-263）封装，具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和PCB布局。此外，其栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V的Vgs电压，兼容多种驱动电路设计。内置的雪崩能量保护功能增强了器件的可靠性和耐用性，使其在复杂工况下仍能稳定工作。

应用

BUK963R1-40E 主要用于需要高效率、高电流和高频率开关能力的电源管理应用。典型应用包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关电路、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及电动工具等高功率便携式设备。由于其出色的导通性能和高电流能力，该器件也常用于服务器和电信设备中的电源模块设计。
　　此外，BUK963R1-40E 还适用于汽车电子系统，如车载充电器、DC-DC变换器、车身控制模块和电动助力转向系统等。其高可靠性和宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其在严苛的环境条件下也能保持稳定运行。